Publikace detail

Nanostructuring of organic and chalcogenide resists by direct DUV laser beam writing

Autoři: Glaser T. | Schroeter S. | Fehling S. | Poehlmann R. | Vlček Miroslav

Rok: 2004

Druh publikace: článek v odborném periodiku

Název zdroje: Electronics Letters

Název nakladatele: Institute of Electrical Engineers

Místo vydání: Velká Británie

Strana od-do: 1-2

Tituly:

Jazyk	Název	Abstrakt	Klíčová slova
cze	Nanostruktura organických a chalcogenidových resistů připravených metodou "direct DUV laser beam writing"	"Byly studovány vlastnosti organických a chalkogenidových resistů připravených metodou direct DUV laser beam writing"
eng	Nanostructuring of organic and chalcogenide resists by direct DUV laser beam writing	A direct writing DUV laser lithography system was used to write surface relief gratings into an organic positive DUV resist and into amorphous chalcogenide layers. For both material groups feature sizes down to 160 nm with aspect ratios of two and more were realised. The nanostructures in chalcogenide layers emerge directly during the writing process, without any development or etching process.	nanostructure;chalcogenide resist;laser beam;

Search